图片仅供参考,产品以实物为准
#1 |
数量:340 |
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最小起订金额:￥￦600 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:466 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货，1-3个工作日送达. |
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#3 |
数量:694 |
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最小起订量:1 新加坡 当天发货，5-8个工作日送达. |
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| 最大门源电压 | ±20 |
| 安装 | Through Hole |
| 包装宽度 | 4.7 |
| PCB | 3 |
| 最大功率耗散 | 40000 |
| 最大漏源电压 | 800 |
| 欧盟RoHS指令 | Compliant |
| 最大漏源电阻 | 650@10V |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 最低工作温度 | -55 |
| 供应商封装形式 | TO-220FP |
| 标准包装名称 | TO-220F |
| 最高工作温度 | 150 |
| 渠道类型 | N |
| 包装长度 | 10.5 |
| 引脚数 | 3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 包装高度 | 15.99 |
| 最大连续漏极电流 | 8 |
| 标签 | Tab |
| 铅形状 | Through Hole |
| 连续漏极电流 | 8 A |
| 栅源电压（最大值） | �20 V |
| 功率耗散 | 40 W |
| 漏源导通电阻 | 0.65 ohm |
| 工作温度范围 | -55C to 150C |
| 包装类型 | TO-220FP |
| 封装 | Tube |
| 极性 | N |
| 类型 | Power MOSFET |
| 元件数 | 1 |
| 工作温度分类 | Military |
| 漏源导通电压 | 800 V |
| 弧度硬化 | No |
| 工厂包装数量 | 500 |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 800 V |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| Vgs - Gate-Source Voltage | +/- 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.1 V |
| 宽度 | 4.85 mm |
| Qg - Gate Charge | 60 nC |
| 封装/外壳 | TO-220FP-3 |
| 下降时间 | 10 ns |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 通道数 | 1 Channel |
| 商品名 | CoolMOS |
| 配置 | 1 N-Channel |
| 最高工作温度 | + 150 C |
| 晶体管类型 | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current | 8 A |
| 长度 | 10.65 mm |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 560 mOhms |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 典型关闭延迟时间 | 72 ns |
| 系列 | CoolMOS C3 |
| 身高 | 16.15 mm |
| 安装风格 | Through Hole |
| 典型导通延迟时间 | 25 ns |
| 最低工作温度 | - 55 C |
| Pd - Power Dissipation | 40 W |
| 上升时间 | 15 ns |
| 技术 | Si |
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